открыт завод по абрикации. Samsung занимает лидирующие позиции на рынке памяти с 1993 года и флэш-памяти NAND с 2003 года благодаря стратегии агрессивного роста. Ведущие продукты и технологии Samsung: DRAM с 40-нм техпроцессом, OneDRAM?, Fusion Memory Solution, NAND Flash, «Inte»lligent" DDI (Display Driver IC), 1 ГБ S-SIM-карта, твердотельный накопитель и внешний жесткий диск. Ожидается, что новая «эра синтеза» многофункциональных гибридных компонентов окажет глубокое влияние на полупроводниковую промышленность. С несколькими функциями на одном чипе, технология Fusion предлагала многогранные решения fили полупроводниковая промышленность означает. Постоянное развитие компонентов меньшего размера и более высокой плотности Samsung лидирует в отрасли в области технологий синтеза с разработкой своего OneNAND?, Flex-OneNAND? и OneDRAM? решения для фьюжн-памяти. В 2001 году компания сигнализировала о длинном коммитме.Степень, чем считалось ранее возможным: в биотехнологиях, здравоохранении, робототехнике, авиации, солнечной энергетике и во многих других областях, связанных с исследованиями и разработками экологически чистых технологий.

Samsung Electro-Mechanics начинала как производитель аудио/видео деталей,развитие продуктов следующего поколения, включая компоненты чипов, телекоммуникационные детали и оптические детали.

С начала века Samsung Electro-Mechanics использует свое технологическое превосходство в ключевых областях, таких как высокочастотный беспроводной коврик.Эриалы и силовая/точная механика для дальнейшего развития своих стратегических технологий и создания синергетического эффекта в своем бизнесе. При этом Samsung Electro-Mechanics продолжает фокусироваться на развитии своего бизнеса в области плат, деталей чипов, модулей камер и коммуникационных модулей с целью статьЯ мировой лидер в каждой из этих областей. Samsung Electro-Mechanics продолжит расширять свой бизнес-портфель за счет повышения качества, технологического прогресса и разработки новых продуктов. Он также направлен на развитие бизнес-возможностей следующего поколения, чтобы сделать свой следующий скачок в качестве leader в индустрии электронных деталей.

Samsung объявила о начале производства модулей LPDDR5 8 Гбит/с (1 ГБ) с использованием технологических узлов класса 10 нм* и с особым акцентом на 5G и автомобильные приложения. .

Имейте в виду, однако, что показанные выше целевые значения напряжения относятся к стандарту, а не к какой-либо конкретной ИС. По словам Samsung, его память будет использовать более высокий VDD — 1,1 В для работы на уровне производительности 6 400 Мбит / с и 1,05 В для более низкой пропускной способности 5 500 Мбит / с. И то, и другое было бы шагом вперед по сравнению с LPDDR4, но не почти такой же резкий сдвиг, как если бы вы использовали свой LPDDR5 специально для низкого энергопотребления и минимальной производительности. Samsung также утверждает, что его улучшения производительности являются результатом внутренних улучшений дизайна. Компания пишет: «За счет удвоения количества «банков» памяти — subdivision внутри ячейки DRAM — от восьми до 16, новая память может достичь гораздо более высокой скорости при одновременном снижении энергопотребления. LPDDR5 8 Гбит/с также использует высокоразвитую, оптимизированную по скорости схемную архитектуру, которая проверяет и обеспечивает сверхскоростную производительность чипа».

Энергоэффективность была достигнута за счет настройки чипа для снижения его напряжения в ответ на режим работы его прикладного процессора и предотвращения перезаписи ячеек со значениями «0» в активном режиме. Также доступен новый режим «глубокого сна», которыйЗначительно сокращает энергопотребление до половины текущего режима простоя, доступного в LPDDR4X. В целом, Samsung прогнозирует, что новая память LPDDR5 должна быть на 30 процентов более энергоэффективной.

Одна странность во всем этом заключается в том, что LPDDR5, похоже, не является особенным.хорошо засвидетельствовано в текущем публичном отчете. Как правило, к тому времени, когда новый стандарт памяти готов к введению, легко найти конца обсуждению спецификации. Здесь это не так. На самом деле, JEDEC, похоже, еще даже не завершил спецификацию LPDDR5, что делает этоЭто довольно значительный случай прыжка с пистолета. DDR5 еще даже не была завершена, и мы ожидаем, что основная версия стандарта DDR появится раньше более поздних вариантов с низким энергопотреблением.

Джотрин Электроникс Лимитед. посвящает себя предоставлению самого лучшего опыта клиентам по предложениютолько высококачественные компоненты Samsung и превосходное обслуживание клиентов. С более чем 10 миллионами долларов доступных запасов, самой большой линейной картой онлайн и всеми доступными классами деталей (включая mil-spec, промышленные и коммерческие запчасти), Jotrin Electronics Limited. это легендарный большой выбор и фантастические цены. Когда вы получаете комплектующие Samsung через Jotrin Electronics Limited., у вас есть душевное спокойствие, что вы получаете лучшие электронные компоненты по самым конкурентоспособным ценам.

Samsung - это продукт Портфель состоит из DRAM, FLASH, eMMC, MCP, ARM CPU, драйвера дисплея IC, CMOS датчика изображения и т. Д.