Features 1• Двунаправленная фильтрация электромагнитных помех и окончание линий
– –3 дБ Полоса пропускания 300 МГц
• IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
– ±15-кВ Contact Discharge– ±15-кВ Air Gap Discharge• Напряжение пробоя постоянного тока: 6 В (минимальное)•
Низкий ток утечки:0.1 мкA (максимум)
• Топология фильтра C-R-C с низким уровнем шума
<
span style=";font-family:宋体;font-size:16px">External ESD protection• Компактный DPV (шаг 0,5 мм), DQD
Packages (шаг 0,4 мм)
Applications
– КПК
– Горячие точки
•
Interfaces– SIM Cards
Description
Устройство TPD3F303 представляет собой высокоинтегрированное устройство, которое обеспечивает трехканальный фильтр электромагнитных помех (EMI) и диодную матрицу защиты от электростатического разряда на основе подавителя переходного напряжения (TVS). Фильтр нижних частот на основе C-R-C обеспечивает защиту от электромагнитных помех для данных, часов и линий сброса интерфейса SIM-карты. Кроме того, четырехканальный массив TVS Diode обеспечивает IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection для ранее упомянутых сигналов (данные, часы, сброс) и линии питания VCC. TPD3F303 содержит
47-Ω терминирующий резистор для тактовой линии и 100-Ω терминирующий резистор как для данных, так и для сброса обводы. Высокий уровень интеграции, предлагаемый TPD3F303, делает устройство хорошо подходящим для таких приложений, как сотовые телефоны, планшеты, точки доступа и КПК.Overview TPD3F303 представляет собой высокоинтегрированный трехканальный фильтр электромагнитных помех и unidirectional TVS защитный диодный массив. Это устройство можно использовать для целого ряда приложений, таких как сотовые телефоны, планшеты, точки доступа и КПК. двунаправленная фильтрация электромагнитных помех и завершение линий со встроенной защитой от электростатического разряда Это устройство обеспечивает двунаправленную фильтрацию электромагнитных помех, встроенные линейные резисторы и встроенную защиту от электростатического разряда. Во время событий ESD напряжения до ±15 kV (воздушный или контактный) может быть направлен на землю через внутреннюю диодную сеть. Когда напряжение на защищенной линии падает ниже триггерных уровней TPD3F303 (обычно в течение 10 с наносекунд), устройство возвращается к пассивному. Application Information TPD3F303 - это диодный фильтр TVS + EMI который используется для обеспечения a path на землю для рассеивания событий ESD на сигнальных линиях между слотом для SIM-карты и системой. Когда ток от электростатического разряда проходит через TVS, на диоде присутствует лишь небольшое падение напряжения. Это напряжение, подаваемое на защищенную микросхему на оконечные резисторы. Detailed Design Procedure Чтобы начать процесс проектирования, необходимо определиться с некоторыми параметрами; Проектировщик должен знать следующее: • Диапазон напряжения сигнала на всех защищаемых линий • Требуемая защита от электростатического разряда required Signal Range TPD3F303 поддерживает диапазоны сигналов от 0 В до 5,5 В, что поддерживает приложение SIM-карты Power Supply Recommendations Это устройство является пассивным устройством ESD, поэтому нет необходимости в его питании. Следите за тем, чтобы не нарушить рекомендуемую спецификацию ввода-вывода (от 0 В до 5.5 В), чтобы обеспечить работу устройства правильно. Layout Guidelines • Оптимальное размещение — как можно ближе к разъему. – электромагнитные помехи во время события ESD могут связываться от пораженной трассы к другим близлежащим незащищенным трассам, что приводит к ранним сбоям системы. – Разработчик печатной платы должен свести к минимумуИспользуйте возможность связи с электромагнитными помехами, сохраняя любые незащищенные следы подальше • Маршрутизируйте защищенные трассы как можно более прямолинейно. • Устраните все острые углы на защищенных трассах между TVS и разъемом с помощью rounded corners with наибольшими радиусамименьше или равно. – Электрические поля имеют тенденцию накапливаться на углах, увеличивая связь с электромагнитными помехами. 
Функциональные режимы устройства TPD3F303 представляет собой пассивную интегральную схему, которая срабатывает при изменении напряжения выше VBR или ниже Vf (–0,7 В).
