AEC на самом деле является аббревиатурой Automotive Electronics Council, а стандарт AECQ включает в себя следующие области. Для электронных устройств в разных областях применяются разные стандарты. В настоящее время наиболее распространенными из них являются AEC-Q100, AEC-Q101 и AEC-Q200.
<таблица cellspacing="0" width="649">Standard category
Применимые поля
AEC-Q100<
td width="437" valign="top" style="padding: 0px 7px; border-left: none; border-right-width: 1px; border-right-color: windowtext; border-top: none; border-bottom-width: 1px; border-bottom-color: windowtext; background: rgb(255, 255, 255);">интегральная микросхема
AEC-Q101
Дискретное устройство
AEC-Q102
Дискретные фотоэлектрические светодиоды
AEC-Q103
sensor
AEC-Q104 См.
Multichip Components
AEC-Q200
<p style=";text-align: justify;font-family: Calibri;font-size: 16px;text-indent: 0">passive device2. Нестандарты AEC-Q100
Подобно тесту DV для обычных автозапчастей, стандарт AECQ на самом деле является тестовым стандартом, который распознает конструкцию самого чипа. Он разделен на различные тестовые последовательности для тестирования чипа в разные размеры.
Поскольку самые горячие чипы в настоящее время находятся в центре внимания страны и даже мира, давайте сначала посмотрим на стандарты тестирования чипов. AEC-Q100 разделен на 13 субстандартов, а именно основной стандарт AEC-Q100 и 12 субстандартов от 001 до 012.
<таблица cellspacing="0" width="624">standard encdoing
standard name<
td width="195" valign="top" style="padding: 0px 7px; border-left-width: 1px; border-left-color: windowtext; border-right-width: 1px; border-right-color: windowtext; border-top: none; border-bottom-width: 1px; border-bottom-color: windowtext; background: rgb( 255, 255, 255);" >AEC-Q100 Rev-H
Failure Based Failure Based Stress Test Qualification For Integrated Circuits(base document
AEC-Q100-001
Wire Bond Shear Test
AEC-Q100-002
Модель человеческого тела (HBM) Тест на электростатический разряд
AEC-Q100-003
Модель машины (мм) Испытание на электростатический разряд
AEC-Q100-004
IC Latch-Up Test
AEC-Q100-005
Non-Volatile memory program/стирание выносливости, хранение данных, и испытание на ресурс
AEC-Q100-006
Electro-термически induced Испытание на утечку паразитного затвора (GL)
AEC-Q100-007
Fault Simulation and Test Grading
AEC-Q100-008
Early Life Failure Rate (ELFR)
AEC-Q100-009
Electrical Distribution Assessment
AEC-Q100-010
Solder Ball Schange Test
Test sequence A
Accelerated Environment Stress
Test sequence B
Accelerated Lifetime Simulation
Test sequence C
Package Assembly Integrity
style=";text-align: justify;font-family: Calibri;font-size: 16px;text-indent: 0">Test sequence DDie Fabrication Reliability
style=";text-align: justify;font-family: Calibri;font-size: 16px;text-indent: 0">Test sequence EElectrical Verification
<
span style="font-family: sans-serif;color: rgb(34, 34, 34);letter-spacing: 1px;font-size: 19px">Test sequence FDefect Screening
Test sequence G
Cavity Package Integrity
Как и последовательность и классификация теста DV, сертификация теста чипа включает в себя в общей сложности 7 последовательностей, как показано ниже, и тесты этих семи последовательностей также относятся к тем методам испытаний, которые определены в AEC-Q100.
Тест чипа также имеет определенную последовательность испытаний, которая также определена в стандарте AEC-Q100. Всего существует 7 тестовых последовательностей, которые в сумме составляют 42 тестовых задания в соответствии с двумя уровнями. Эти тестовые задания подходят не для всех микросхем. Необходимо проверить адаптивность в соответствии с типом ИС, а также необходимо протестировать в соответствии с темомпературный уровень чипа. Изменение условий.
Диапазон
рабочих температур окружающей среды"; height:23px">TC"; height:23px">"; height:23px">EDRWBSspan style="font-size:10px;font-family: sans-serif;color:black;letter-spacing:1px">C2PD"; height:31px">td width="127" style="border-top: нет; border-left: нет; border-bottom: 1px сплошной оконный текст; border-right: 1px сплошной оконный текст; padding: 0px 7px;" height="31">SBS
style="border-top: нет; граница слева: нет; border-bottom: 1px сплошной оконный текст; граница справа: 1 пиксель сплошной оконный текст; padding: 0px 7px;" height="23">ElectromigrationEMHCI"; height:35px">TEST"; height:23px">"; height:23px">LU"; height:23px">td width="127" style="border-top: нет; граница слева: нет; border-bottom: 1px сплошной оконный текст; граница справа: 1 пиксель сплошной оконный текст; padding: 0px 7px;" height="23">ED
FG"; height:23px">SER"; height:23px"> style="border-top: нет; граница слева: нет; border-bottom: 1px сплошной оконный текст; граница справа: 1 пиксель сплошной оконный текст; padding: 0px 7px;" height="23">---
td width="252" style="border-top: none; border-left: none; border-bottom: 1px сплошной оконный текст; border-right: 1px сплошной оконный текст; padding: 0px 7px;" height="23">STRESS
p style="text-align:center">LT0 | ="top" style="padding: 0px 7px; border-top: none; border-right-color: windowtext; border-bottom-color: windowtext; border-left-color: windowtext;"> -40°Cto + 150°C | ||
1 | style="font-family: Calibri; font-size: 14px;">-40°C to + 125°C | ||
2 | ="top" style="padding: 0px 7px; border-top: none; border-right-color: windowtext; border-bottom-color: windowtext; border-left-color: windowtext;"> -40°C to + 105°C | ||
3 | ="top" style="padding: 0px 7px; border-top: none; border-right-color: windowtext; border-bottom-color: windowtext; border-left-color: windowtext;"> -40°C to + 85°C Подробные тестовые задания в каждой тестовой последовательности также подробно описаны в стандарте AEC-Q100, и время тестирования каждого теста также имеет различные требования в зависимости от уровня оценки. В тесте AEC-Q100 для последовательности A количество протестированных образцов составляет 77, и требуется 0 Fails, что значительно повышает достоверность теста чипа. p>< p style="text-align:left"> <таблица cellspacing="0" cellpadding="0" width="636"> | ||
ТЕСТОВАЯ ГРУППА A – УСКОРЕННЫЕ СТРЕСС-ТЕСТЫ СРЕДЫ | |||
# | STRESS | ABV | SAMPLE SIZE / LOT |
A1 | Preconditioning | PC | 77 |
A2 | Temperature Humidity-bias or Biased HAST | THB или HAST | 77 |
A3 | Автоклав или непредвзятый HAST или температура Влажность (без смещения) | AC или UHST или TH | 77 |
A4 | Temperature Cycling | 77 | |
A5 | Цикл температуры мощности | PTC | 45 |
A6 | Срок хранения при высокой температуре | HTSL | 45 |
ТЕСТОВАЯ ГРУППА B – УСКОРЕННЫЙ LIFET | |||
# | STRESS | ABV | SAMPLE SIZE / LOT |
B1 | Срок службы при высоких температурах | HTOL | 77 |
B2 | Early Life Failure Rate | ELFR | 800 |
B3 | NVM Выносливость, хранение данных и срок службы | 77 | |
ТЕСТОВАЯ ГРУППА C – ТЕСТЫ ЦЕЛОСТНОСТИ СБОРКИ ПАКЕТА | |||
# | STRESS | ABV | SAMPLE SIZE / LOT |
C1 | Wire Bond Shear | 30 облигаций минимум с 5 устройств | |
< | Wire Bond Pull | WBP | |
C3 | Пайка | SD | 15 |
C4 | Physical Dimensions | 10 | |
C5 | Solder Шар Шир< | 5 шариков из мин. 10 устройств | |
C6 | Lead Integrity | LI | из каждых 10 выводов |
TEST GROUP D – ТЕСТЫ НАДЕЖНОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТАМПОВ | |||
# | STRESS | ABV | SAMPLE SIZE / LOT |
D1 | --- | ||
D2 | Диэлектрический пробой в зависимости от времени | TDDB | --- |
D3 | Hot Carrier Injection | --- | |
D4 | Negative смещение температурной нестабильности | NBTI | --- |
D5 | Стрессовая миграция | SM | --- |
ТЕСТОВАЯ ГРУППА E – ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОВЕРОЧНЫЕ ТЕСТЫ | |||
# | STRESS | ABV | SAMPLE SIZE / LOT |
E1 | Pre- и Post-squad function/parameter | All | |
E2 | Электростатический разряд Модель человеческого тела | HBM | см. Test Method |
E3 | Модель заряженного устройства электростатического разряда | CDM | см. метод теста |
TEST GROUP E – ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОВЕРОЧНЫЕ ИСПЫТАНИЯ (ПРОДОЛЖЕНИЕ) | |||
# | STRESS | ABV | РАЗМЕР ВЫБОРКИ / LOT |
E4 | Latch-Up | 6 | |
E5 | Electrical Distributions< | 30 | |
E6 | Fault Grading | --- | |
E7 | Характеристика | CHAR | --- |
E9 | Электромагнитная совместимость | EMC | 1 |
E10 | Характеристика короткого замыкания | SC | 10 |
E11 | Soft Error Rate | 3 | |
E12 | Lead (Pb) Free | LF | см. метод тестирования |
ТЕСТОВАЯ ГРУППА F – ТЕСТЫ НА ДЕФЕКТНЫЙ ЭКРАН | |||
# | STRESS | ABV | SAMPLE SIZE / LOT |
F1 | Процесс среднего тестирования | PAT | --- |
F2 | Статистическая корзина/анализ урожайности | SBA | |
ТЕСТОВАЯ ГРУППА G – ТЕСТЫ ЦЕЛОСТНОСТИ ПАКЕТА РЕЗОНАТОРА | |||
#< | ABV | SAMPLE SIZE / LOT | |
G1 | Mechanical Shock | MS | 15 |
G2 | Variable Frequency Vibration | VFV | 15 |
G3 | Постоянное ускорение | CA | 15 |
G4 | Gross/Fine Leak | GFL | 15 |
G5 | Package Drop | DROP | 5 |
G6 | Lid Torque | < | |
5 | |||
G7 | Die Shear | DS | 5 |
G8 | Internal Water Vapor | IWV | 5 |